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环球UG(www.ugbet.us):国产存储芯片技术获新突破,面对精准制裁,国产存储何以“长存”?

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近日国产存储芯片企业长江存储突然宣布已完成了232层3D NAND闪存的量产准备工作,即将投入正式量产,而美国美光、韩国三星、日本铠侠等还在推进200层以上的NAND闪存技术推进,如此一来中国的存储芯片企业在存储芯片技术上已取得领先优势。


世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计的数据显示,2021年全球半导体存储器市场规模约为1538亿美元。目前,存储市场长期被国外巨头垄断,三星、美光、SK海力士三大存储厂商占据全球近80%的市场份额。而中国尽管作为全球市场规模最大的集成电路市场,但存储器产品大部分却长期依赖进口。


近年来,在国产化浪潮趋势推动下,一批国内存储厂商开启了资本市场之路。


1、国产存储器的崛令美国人坐立难安


众所周知,相对于集成电路其他类型的产品,消费类电子存储芯片的两大分支DRAM和NAND Flash的生产周期性波动相对更为剧烈,前期需要雄厚的投入以及实施规模化经营,在一波又一波的存储器产品沉浮大潮的冲刷下,存储芯片供应商在过去十几年来迅速聚合,形成了以三星、SK海力士、美光为主导的DRAM市场和由三星、铠侠、SK 海力士、西数、美光等为主导的NAND Flash市场,这几大巨头联合在各自的细分赛道中占据了九成以上份额,集体优势难以撼动。



对于国产存储芯片供应商来讲,甫一诞生就要面临着层层突围和闯关的严峻局面,而长江存储做到了:2017年,长江存储做出了中国首款32层3D NAND,终结了存储巨头们长达数十年的技术垄断。2018年,长江存储发布了业界首创的Xtacking技术,实现了读取速度和存储密度的双重大幅提升。随着长江存储在技术和产品上的不断突破,中国存储开始在较深层次上触及了大洋彼岸商务部的敏感神经。随后的数年,美国通过一系列混淆视听的煽动报道和片面的调查证据,公然向长江存储不断发难。


与此同时,“寒蝉效应”的受害者不可避免地还包括长鑫存储,DRAM方面,长鑫存储目前月产能约10万片晶圆左右,并且开始导入17纳米制程量产,在10月新规后,相关技术能否延续快速迭代和量产也蒙上了一层厚厚的迷雾。


可以说,美国商务部将长江存储列入UVL,限制先进存储供应链技术出口,潜在地对长鑫存储也实施打击是有组织有预谋的行为。对规模化效应尤为依赖的存储产业来说,无法延续技术的快速迭代和及时扩充产能所带来的后果,轻者将丢失客户,重者可能将因为错失市场的窗口而一蹶不振,这无疑都是致命的打击,没有任何一家企业可以独善其身。


2、未来中国半导体存储的危与机


然而,这次长江存储面临的严峻形势却不同于上述企业。随着10月6日UVL的60日期限已到,长江存储未来的命运将何去何从?虽然美国在12月6号、7号均没有立即公布结果,据多家外媒透露出来的风声美国可能减轻制裁,但我们不能掉以任何轻心,审判权的一端始终牢牢掌握在美国手里,这将仍然令未来充满不确定性,极大地影响企业在未来实现进一步技术突破、客户验证,市场延伸之腾挪闪转的空间。


与新一批UVL同时出台的是美国商务部BIS针对半导体行业对华“出口管制新规”的抛出。该新规具体规定了所谓锁死中国高端芯片突破的天花板,这是一个阳谋:14nm及以下先进制程设备和128层以上的NAND芯片所需设备,另外,美国还将对华禁售与GAA(环绕栅极)相关的EDA工具,进一步限制中国大陆芯片设计厂商向尖端制程发展。


从这一套美国商务部的组合拳中,我们也可以一窥长江存储和合肥长鑫被极力打压的更深层次的原因,因为毕竟打进苹果产业链的大陆厂商目前已经逐渐突破了40家。为何美国商务部推举长江存储作为打击大陆半导体之寒蝉效应的领头羊?

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背后重要原因之一是存储产业的发展空间以及强有力的带动性,美国人所谓的数据安全堂而皇之的借口下,实则是对全球半导体商业化运作的公然挑衅。试问如果所有的手机、PC内的存储芯片都被以美国为首的Chip4垄断,我国自身的信息安全、供应链稳定又如何保障?面向更高阶的人工智能,存算一体,工业物联网应用将如何继续发展?


3、国产存储芯片开始“破冰”


云计算、大数据、人工智能等高新科技的崛起,推动了存储芯片应用的进一步增长,这让我国也愈发重视对国内存储芯片产业的扶持,鼓励本土存储企业加强核心技术的研发,诞生出了一大批出色本土存储芯片企业,其中最具代表性的当属长鑫存储。


根据笔者了解,长鑫存储是国内第一家量产DARM芯片的企业,让我国实现了在存储芯片领域实现从0到1的突破。



不仅如此,长鑫存储的技术已经跻身全球第一梯队,比如在芯片工艺方面,长鑫存储主要生产19纳米DRAM芯片,计划在2022年推出17纳米工艺的LPDDR5存储芯片。


要知道,美光和SK海力士的10纳米DRAM芯片在2021年才宣布量产,所以,对比来看,长鑫存储正在逐渐缩短与三星在工艺技术方面的差距。


值得一提的是,长鑫存储已经拥有一支强大的研发团队,不少核心成员曾在国际芯片巨头中任职,而这将进一步助推长鑫存储在技术方面的进步。


不过,目前长鑫存储的产品良品率并不是特别高,产能无法完全释放,其想要跻身全球存储芯片市场第一梯队,还有很长的路要走。


与此同时,存储芯片本就是上下游产业链协同发展的产业,长鑫存储还需要与国内企业加强合作,进一步加快技术迭代速度。


来源:全球半导体观察,芯片观察室,柏铭007,电子技术应用ChinaAET

注:文章内的所有配图皆为网络转载图片,侵权即删!

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