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海内第三代半导体迎窗口期 今年氮化镓、碳化硅产值或达70亿元

2020-12-09 05:23 出处:互联网  人气:   评论( 0

中国第三代半导体正迎来生长的窗口期。第三代半导体产业手艺创新战略同盟理事长吴玲11月24日在2020国际第三代半导体论坛上透露,双循环模式推动国产化替换,2020年中国SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。

其中,中国的GaN微波射频产业产值2020年将到达33.75亿元,比去年的26.15亿元将增进29%;SiC、GaN电力电子产业产值2020年将到达35.35亿元,比去年的29.03亿元将增进21.77%。

另一方面,市场规模扩大,5G加速推进GaN射频应用迅猛增进,2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元;新能源汽车及消费电子成为突破口,2020年中国电力电子器件应用市场规模58.2亿元。

吴玲建议,探索构建第三代半导体产业创新生态,试探“平台+孵化器+基金+基地”以及大中小企业融通生长的新模式,增强精准的国际与区域深度互助,通力互助使全链条进入天下先进行列。

明年将是氮化镓快充元年

氮化镓(GaN)因今年小米推出应用了相关质料的快充产物而备受瞩目。作为海内已量产硅基氮化镓的企业,英诺赛科科技有限公司的董事长骆薇薇在上述论坛上示意,第三代半导体氮化镓有小体积、低能耗、高频事情等优势,顺应带宽更大、事情频率更高、大电流、低损耗的市场需求。

随着AI、数据中心、5G、新能源汽车、直流供电等的快速生长,功率半导体将迎来快速增进,预计2020~2025年复合增进率会跨越10%。骆薇薇说,功率半导体未来主要增进将集中在第三代半导体,电压品级主要会集中在30伏、150伏、650伏、900伏以上。

英诺赛科于2015年建立,2020年9月苏州工厂建设完成,其高、低压芯片出货量均达数百万颗。骆薇薇以为,氮化镓功率半导体的产业化手艺已经成熟,市场最先发作。现在英诺赛科量产的产物是8英寸硅基氮化镓,笼罩从30伏到650伏。

中国新基建中5G基站、数据中心等将带来新需求。骆薇薇说,现在硅基氮化镓的芯片价钱是硅器件的1.5倍,预计未来几年有望与硅器件价钱持平,甚至更低。所以其在消费电子领域有很大生长潜力,可笼罩电子烟、智能手机、无线充、扫地机器人、无人机、笔记本电脑、电动单车。

据充电头网统计,在智能手机行业中,现在已有华为、小米、OPPO、魅族、三星、努比亚、realme等多个品牌推出了氮化镓快充产物。电商方面,现在也有17家品牌先后推出了数十款氮化镓快充新品。已经出货的电源厂商跨越100家。

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